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紅外成像技術原理及應用
點擊次數(shù)：3921 更新時間：2017-04-22
一、紅外成像技術
1、紅外成像概念：
紅外成像技術是以接收景物自身各部分輻射的紅外線來進行探測，利用景物自身各部分輻射的差異獲得圖像的細節(jié)，其實質(zhì)是一種波長轉(zhuǎn)換技術，即把紅外輻射圖像轉(zhuǎn)換為可視圖像的技術，同時，由大氣透紅外性質(zhì)和目標自身輻射所決定，紅外熱成像技術通常采用3——5 µm和8——14 µm兩個波段內(nèi)工作。
2、紅外成像特點：
紅外成像技術既克服了主動紅外需要依靠人工熱輻射，并由此產(chǎn)生容易自我暴露的缺點，又克服了被動微光*依賴于環(huán)境自然光和無光不能成像的缺點；紅外熱成像儀器和系統(tǒng)具有透過煙、霧、塵、雪以及識別偽裝的能力，不受戰(zhàn)場上強光、眩光干擾
而致盲，可以進行遠距離、全天候觀察。這些特點使它特別適合于應用，正因為如此，一些技術發(fā)達的國家，特別是美、英、法、俄等國競相研究熱成像技術，以巨大的人力、物力進行開發(fā)，發(fā)展十分迅速。
二、紅外成像紅外探測器
紅外成像技術的發(fā)展過程是與紅外探測器的發(fā)展密切相關的，可以說紅外探測器是熱成像技術的核心，探測器的技術水平?jīng)Q定了熱成像的技術水平。
紅外成像典型規(guī)模：
目前，紅外探測器通常被分為三代： *代以分立型為主，元數(shù)在103元以下。有線列和小面陣結(jié)構(gòu)，代表產(chǎn)品有：美國的60元、120元、180元光導HgCdTe器件；法國5×11元光伏HgCdTe器件；英國4條（或8條）掃積型HgCdTe器件等； 第二代為掃描型和凝視型焦平面結(jié)構(gòu)，在美國出現(xiàn)LADAⅠ、LADAⅡ、LADAⅢ型陣列應用的基礎上發(fā)展起來的焦平面陣列，規(guī)模在103——106元，其代表產(chǎn)品有4×240元，4×480元和256×256元，320×240元等； 第三代以凝視型為主，規(guī)模在106元以上，且強調(diào)雙波長（雙色）或多波長（多色）響應和更強的智能化邏輯處理功能，以及價格較低的非制冷焦平面陣列等。 30多年來，紅外探測器技術經(jīng)歷了*代向第二代的演變，目前，正在由第二代陣列技術向第三代微型化高密度和高性能紅外焦平面陣列技術的方向發(fā)展。國內(nèi)外各有關公司廠家研究機構(gòu)著眼于未來的市場需求，現(xiàn)已把注意力轉(zhuǎn)向第三代紅外焦平面陣列探測器的發(fā)展上。
1、紅外成像概念：
紅外成像技術是以接收景物自身各部分輻射的紅外線來進行探測，利用景物自身各部分輻射的差異獲得圖像的細節(jié)，其實質(zhì)是一種波長轉(zhuǎn)換技術，即把紅外輻射圖像轉(zhuǎn)換為可視圖像的技術，同時，由大氣透紅外性質(zhì)和目標自身輻射所決定，紅外熱成像技術通常采用3——5 µm和8——14 µm兩個波段內(nèi)工作。
2、紅外成像特點：
紅外成像技術既克服了主動紅外需要依靠人工熱輻射，并由此產(chǎn)生容易自我暴露的缺點，又克服了被動微光*依賴于環(huán)境自然光和無光不能成像的缺點；紅外熱成像儀器和系統(tǒng)具有透過煙、霧、塵、雪以及識別偽裝的能力，不受戰(zhàn)場上強光、眩光干擾
而致盲，可以進行遠距離、全天候觀察。這些特點使它特別適合于應用，正因為如此，一些技術發(fā)達的國家，特別是美、英、法、俄等國競相研究熱成像技術，以巨大的人力、物力進行開發(fā)，發(fā)展十分迅速。
二、紅外成像紅外探測器
紅外成像技術的發(fā)展過程是與紅外探測器的發(fā)展密切相關的，可以說紅外探測器是熱成像技術的核心，探測器的技術水平?jīng)Q定了熱成像的技術水平。
紅外成像典型規(guī)模：
目前，紅外探測器通常被分為三代： *代以分立型為主，元數(shù)在103元以下。有線列和小面陣結(jié)構(gòu)，代表產(chǎn)品有：美國的60元、120元、180元光導HgCdTe器件；法國5×11元光伏HgCdTe器件；英國4條（或8條）掃積型HgCdTe器件等； 第二代為掃描型和凝視型焦平面結(jié)構(gòu)，在美國出現(xiàn)LADAⅠ、LADAⅡ、LADAⅢ型陣列應用的基礎上發(fā)展起來的焦平面陣列，規(guī)模在103——106元，其代表產(chǎn)品有4×240元，4×480元和256×256元，320×240元等； 第三代以凝視型為主，規(guī)模在106元以上，且強調(diào)雙波長（雙色）或多波長（多色）響應和更強的智能化邏輯處理功能，以及價格較低的非制冷焦平面陣列等。 30多年來，紅外探測器技術經(jīng)歷了*代向第二代的演變，目前，正在由第二代陣列技術向第三代微型化高密度和高性能紅外焦平面陣列技術的方向發(fā)展。國內(nèi)外各有關公司廠家研究機構(gòu)著眼于未來的市場需求，現(xiàn)已把注意力轉(zhuǎn)向第三代紅外焦平面陣列探測器的發(fā)展上。
